In the original languageTranslation into English
RESEARCH OF THE AMPLITUDE-FREQUENCY CHARACTERISTICS OF A QUASI COMPLEMENTARY EMITTER FOLLOWER ON THREE-STRUCTURAL INJECTION-VOLTAIC TRANSISTORS
Authors
Faziljanov Ismail Rustamovich, Foziljonov KhojiakbarIsmail ogli
Rubric:Engineering sciences in general
574
1
Share
574
1
Annotation
In this article shows the results of an experimental study of the amplitude-frequency characteristics of the quasi-complementary emitter followers on three structural injection-voltaic transistors.
Keywords
current-voltage characteristic
amplitude-frequency characteristic.
amplifier
the quasi-complementary emitter followers
the three-structural injection-voltaic transistor
Authors
Faziljanov Ismail Rustamovich, Foziljonov KhojiakbarIsmail ogli
Rubric:Engineering sciences in general
574
1
Share
574
1
References:
- Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. Справочное руководство. Пер. с нем.-М.: Мир, 1982, стр. 239-242.
- Предварительный патент РУз № IDP 05016. Комплементарный эмиттерный повторитель / Арипов Х.К., Атаханов Ш.Н., Бустанов Х.Х., Касимов С.С., Фазилжанов И.Р. // Бюлл. № 6, 31. 12.2001.
- Арипов Х.К., Бустанов Х.Х., Махсудов Ж.Т. Инжекционно- вольтаический эффект в биполярных транзисторах // Сборник трудов международной конференции «Актуальные проблемы физики полупроводниковых приборов».- Ташкент, 1997, С. 85.
- Kasimov S.S., Aripov Kh.K., Atakhanov Sh.N., Bustonov Kh.Kh, Makhsudov J.T. New injection- voltaic effect elemenntaru basis. WSIS for Industrial automation 2000 / b-Quadral Verlag, 2000. P. 336- 339.
- Патент РУз № IAP 02106. Инжекционно - вольтаический транзистор / Арипов Х.К., Бустанов Х.Х., Максудов Д.Т.// Бюлл. № 5, 31.10.2001.
- Фазилжанов И.Р. Исследование комплементарного эмиттерного повторителя с расширенным диапазоном устойчивой работы // Международный Форум. «Новые инфокоммуникационные технологии: достижения, проблемы, перспективы». Том 3. «Техника и технология связи». Тез. докл. международной научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых специалистов стран СНГ.- Новосибирск: СибГУТИ. 2003. С. 33-35.
- Предварительный патент РУз № 5123. Трехструктурный инжекционно-вольтаический транзистор / Арипов Х.К., Бустанов Х.Х., Мавлянов А.Р., Махсудов Д.Т. //. Бюлл. № 2, 30.06.1998.
- Фазилжанов И.Р. Комплементарный эмиттерный повторитель на трехструктурных инжекционно-вольтаических транзисторах // Республиканская научно- техническая конференция аспирантов, магистров и бакалавров "Информационно-коммуникационные технологии". Сб. докладов. - Ташкент, 2008.- C. 196
- Патент РУз № IAP 03030. Квазикомплементарный эмиттерный повторитель / Арипов Х.К., Бустанов Х.Х., Касимов С.С., Фазилжанов И.Р // Бюлл. № 2, 28.04.2006.
- Фазилжанов И.Р. Математическая модель трехструктурного инжекционно-вольтаического транзистора // Республиканская научно- техническая конференция аспирантов, магистров и бакалавров "Информационно-коммуникационные технологии". Сб. докладов.- Ташкент, 2005.- С. 85- 87.
D.C. Dube Electronics: Circuits And Analysis, Published by Narosa Publishing House Pvt. Ltd., New Delhi (2013).
Other articles of the issue
