RESEARCH OF THE AMPLITUDE-FREQUENCY CHARACTERISTICS OF A QUASI COMPLEMENTARY EMITTER FOLLOWER ON THREE-STRUCTURAL INJECTION-VOLTAIC TRANSISTORS

Academic publishing in Europe and N. America

enru
Archive Reviews QA Payment and delivery Contacts
In the original languageTranslation into English

RESEARCH OF THE AMPLITUDE-FREQUENCY CHARACTERISTICS OF A QUASI COMPLEMENTARY EMITTER FOLLOWER ON THREE-STRUCTURAL INJECTION-VOLTAIC TRANSISTORS

Authors

Faziljanov Ismail Rustamovich, Foziljonov KhojiakbarIsmail ogli

Rubric:Engineering sciences in general
104
0
Download articleQuote
104
0

Annotation

In this article shows the results of an experimental study of the amplitude-frequency characteristics of the quasi-complementary emitter followers on three structural injection-voltaic transistors.

Keywords

amplifier
the quasi-complementary emitter followers
the three-structural injection-voltaic transistor
current-voltage characteristic
amplitude-frequency characteristic.

Authors

Faziljanov Ismail Rustamovich, Foziljonov KhojiakbarIsmail ogli

Rubric:Engineering sciences in general
104
0

References:

  1. Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. Справочное руководство. Пер. с нем.-М.: Мир, 1982, стр. 239-242.
  2. Предварительный патент РУз № IDP 05016. Комплементарный эмиттерный повторитель / Арипов Х.К., Атаханов Ш.Н., Бустанов Х.Х., Касимов С.С., Фазилжанов И.Р. //  Бюлл.  № 6, 31. 12.2001.
  3. Арипов Х.К., Бустанов Х.Х., Махсудов Ж.Т. Инжекционно- вольтаический эффект в биполярных транзисторах // Сборник трудов международной конференции «Актуальные проблемы физики полупроводниковых приборов».- Ташкент, 1997, С. 85.
  4. Kasimov S.S., Aripov Kh.K., Atakhanov Sh.N., Bustonov Kh.Kh, Makhsudov J.T. New injection- voltaic effect elemenntaru basis. WSIS for Industrial automation 2000 / b-Quadral Verlag, 2000. P. 336- 339.
  5. Патент РУз № IAP 02106. Инжекционно - вольтаический транзистор / Арипов Х.К., Бустанов Х.Х., Максудов Д.Т.//  Бюлл. № 5, 31.10.2001.
  6. Фазилжанов И.Р. Исследование комплементарного эмиттерного повторителя с расширенным диапазоном устойчивой работы // Международный Форум. «Новые инфокоммуникационные технологии: достижения, проблемы, перспективы». Том 3. «Техника и технология связи». Тез. докл. международной научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых специалистов стран СНГ.- Новосибирск: СибГУТИ. 2003. С. 33-35.
  7. Предварительный патент РУз № 5123.  Трехструктурный инжекционно-вольтаический транзистор / Арипов Х.К., Бустанов Х.Х., Мавлянов А.Р., Махсудов Д.Т. //. Бюлл. № 2, 30.06.1998.
  8. Фазилжанов И.Р. Комплементарный эмиттерный повторитель на трехструктурных инжекционно-вольтаических   транзисторах // Республиканская научно- техническая конференция аспирантов, магистров и бакалавров "Информационно-коммуникационные технологии". Сб. докладов. - Ташкент, 2008.- C. 196
  9. Патент РУз  № IAP 03030. Квазикомплементарный эмиттерный повторитель / Арипов Х.К., Бустанов Х.Х., Касимов С.С., Фазилжанов И.Р // Бюлл. № 2, 28.04.2006.
  10. Фазилжанов И.Р. Математическая модель трехструктурного инжекционно-вольтаического транзистора // Республиканская научно- техническая конференция аспирантов, магистров и бакалавров "Информационно-коммуникационные технологии". Сб. докладов.- Ташкент, 2005.- С. 85- 87.

D.C. Dube Electronics: Circuits And Analysis, Published by Narosa Publishing House Pvt. Ltd., New Delhi (2013).

Other articles of the issue

Gulchehra Salaydinovna Rahmonova PEDAGOGICAL-PSYCHOLOGICAL FEATURES OF THE DEVELOPMENT OF NON-STANDARD WAY OF THINKING IN STUDENTS
Download article in PDF17-20 pages80 views
About us Journals Conferences Books
Terms of use of services Privacy policy Publication ethics and COPE
Copyright 2013-2022 Premier Publishing s.r.o.
Praha 8 - Karlín, Lyčkovo nám. 508/7, PSČ 18600, Czech Republic pub@ppublishing.org