In the original languageTranslation into English
ON HOW TO CALCULATE THE BAND GAP OF SULFUR AND ZINC- DOPED SILICON
Authors
Zikrillayev N.F., Zikrillayev Kh.F., Isakov B., Qurbanov Sh., Khaqqulov M., Mahmudov S.
Rubric:Physics
374
4
Share
374
4
Annotation
The value of the band gap (Eg) is a core parameter of a semiconductor material. An exact knowledge of the band gap in such materials makes it possible to manipulate key performance characteristics of semiconductor devices developed on the basis of such materials [1]. Therefore, comprehensive knowledge of Eg in a semiconductor material is one of the main issues of semiconductor physics and technology [2].
Authors
Zikrillayev N.F., Zikrillayev Kh.F., Isakov B., Qurbanov Sh., Khaqqulov M., Mahmudov S.
Rubric:Physics
374
4
Share
374
4
References:
- И.М.Викулин, Б.В.Коробицын, С.К.Криськив. Методы определения ширины запрещенной зоны полупроводниковых структур с p-n-переходами. Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, вып. 9, с. 1238-1241.
- John McCloy and Randal Tustison. Chemical vapor deposited zinc sulfide, Published by SPIE The International Society for Optical Engineering P.O. Box 10 Bellingham, Washington USA, – 2013.– Р. 1-9.
- М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Н. Ф. Зикриллаев. Особенности вольт-амперной характеристики кремния с нанокластерами атомов марганца. Неорганические материалы, 2014, том 50, № 4, с. 353-357
- Razykov, T.M., Patryn, A., Malinski, M., Bychto, L., Ergashev, B., Kouchkarov, K., Shukurov, A., Makhmudov, M., Isakov, D. Optical Properties of CdS1 – xTex Thin Films Obtained by Chemical Molecular Beam Deposition Method (2021) Applied Solar Energy (English translation of Geliotekhnika), 57 (3), pp. 181-187.
- Н.В. Ганина. Физико-химические особенности изовалентного легирования полупроводников. Physics and Chemistry of Solid State. V. 3, № 4 (2002) P. 565-572.
- Joongoo Kang, Ji-Sang Park, Pauls Stradins, and Su-Huai Wei. Nonisovalent Si-III-V and Si-II-VI alloys: Covalent, ionic, and mixed phases. Physical Review B, 2017. Volume 96; Issue 4, 045203
- Baxadyrhanov M.K., Sodikov U., Zikrillaev N.F., Norkulov N. Razrabotka fizicheskih osnov nanorazmernyh struktur na osnove molekuloobrazovaniya S++Mn- - i Se++Mn- - v reshetke Si. Elektronnaya obrabotka materialov, 2007. № 5. S. 106−108.
- И.В. Бондарь. ФТП, 49 (3), 1180 (2015).
- А.И. Лебедев. Физика полупроводниковых приборов (М., Физматлит, 2008).
- Ю. Питер, М. Кардона. Основы физики полупроводников (М., Физматлит, 2002).
- В.И. Гаман. Физика полупроводниковых приборов (Томск, Изд-во НТЛ, 2000).
- Абдурахманов P., Мавлянов А.Ш., Содиков У.Х., Норкулов Н. Новые материалы для солнечных элементов на основе кремния с квантовыми ямами CdS и ZnS. Электронная обработка материалов. 2005, №4, С.89-92.
Other articles of the issue
