ON BEHAVIOR OF INTERPHASE INTERACTIONS IN SILICON CONTACT STRUCTURES DUE TO QUICK THERMAL TREATMENT
Authors
Ataubayeva Akkumis Berisbayevna
Share
Annotation
The formation of an ohmic contact based on TiBx to heavily doped silicon has been studied. As it has been shown, a low-resistance Au-Ti-TiBx-Ti-n+-Si ohmic contact is conventionally formed by its deposition on an n+-Si-substrate heated to 150°C. The experiment reveals that quick thermal treatment (QTT) at Т=400оС does not practically affect properties of Au-Ti-TiBx-Ti-n+-Si ohmic contacts, whereas QTT at T=600°C helps shape a kind of a TiSi2- phase and leads to an increase in the value of ρс in comparison with both the original sample and thermally heated (at Т=400оС) sample. Diffusion barriers based on Ti and TiBx appear heat-resistant in the range of temperatures to 600°C.
Keywords
Authors
Ataubayeva Akkumis Berisbayevna
Share
References:
1. О.А. Агеев, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, В.А. Пилипенко / Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС // Харьков: НТК «Институт монокристаллов». -2008. -385 с.
2. Ш. Мьюрарка / Силициды для СБИС // М.:Мир. -1986. -176с.
3. В.С. Фоменко / Эмиссионные свойства материалов // Справочник. Киев: Наукова думка. -1981. -с.164.
4. А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Л.М. Капитанчук., В.П. Кладько, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, А.В. Кучук, Т.В. Коростинская, О.С. Литвин, В.В. Миленин, П.В. Неволин, А.Б. Атаубаева / Омические контакты Au-Ti-n+Si, Au-Ti-Pd2Si-n+Si к кремниевым СВЧ диодам // Техника и приборы СВЧ №2, 2009. С.31-34.
5. S.M. Sze, K.Ng. Kwok. Physics of semiconductor devices. 3-rd edition, John Wiley & Sons, 2007. 815 p.
6. Г.В. Самсонов, Л.А. Дворина, Б.М. Рудь. / Силициды // Металлургия. М. -1979. -271 с.
7. В.Е. Борисенко. / Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве // Под ред. В.А. Лабунова. Минск: Навука и тэхника. -1992. -248 с.
8. C. X. Dexin, H. B. Harrison, G. K. Reeves. Titanium silicides formed by rapid thermal vacuum processing // J. Appl. Phys. 63(3), 1988. Р. 2171-2173.
Other articles of the issue
