ON BEHAVIOR OF INTERPHASE INTERACTIONS IN SILICON CONTACT STRUCTURES DUE TO QUICK THERMAL TREATMENT
Authors
Ataubayeva Akkumis Berisbayevna
![](/api/crop/media/uploads/journals/journal/AJT_2022_U8XPcFp.jpg?geometry=280x368)
Share
Annotation
The formation of an ohmic contact based on TiBx to heavily doped silicon has been studied. As it has been shown, a low-resistance Au-Ti-TiBx-Ti-n+-Si ohmic contact is conventionally formed by its deposition on an n+-Si-substrate heated to 150°C. The experiment reveals that quick thermal treatment (QTT) at Т=400оС does not practically affect properties of Au-Ti-TiBx-Ti-n+-Si ohmic contacts, whereas QTT at T=600°C helps shape a kind of a TiSi2- phase and leads to an increase in the value of ρс in comparison with both the original sample and thermally heated (at Т=400оС) sample. Diffusion barriers based on Ti and TiBx appear heat-resistant in the range of temperatures to 600°C.
Keywords
Authors
Ataubayeva Akkumis Berisbayevna
![](/api/crop/media/uploads/journals/journal/AJT_2022_U8XPcFp.jpg?geometry=280x368)
Share
References:
1. О.А. Агеев, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, В.А. Пилипенко / Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС // Харьков: НТК «Институт монокристаллов». -2008. -385 с.
2. Ш. Мьюрарка / Силициды для СБИС // М.:Мир. -1986. -176с.
3. В.С. Фоменко / Эмиссионные свойства материалов // Справочник. Киев: Наукова думка. -1981. -с.164.
4. А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Л.М. Капитанчук., В.П. Кладько, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, А.В. Кучук, Т.В. Коростинская, О.С. Литвин, В.В. Миленин, П.В. Неволин, А.Б. Атаубаева / Омические контакты Au-Ti-n+Si, Au-Ti-Pd2Si-n+Si к кремниевым СВЧ диодам // Техника и приборы СВЧ №2, 2009. С.31-34.
5. S.M. Sze, K.Ng. Kwok. Physics of semiconductor devices. 3-rd edition, John Wiley & Sons, 2007. 815 p.
6. Г.В. Самсонов, Л.А. Дворина, Б.М. Рудь. / Силициды // Металлургия. М. -1979. -271 с.
7. В.Е. Борисенко. / Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве // Под ред. В.А. Лабунова. Минск: Навука и тэхника. -1992. -248 с.
8. C. X. Dexin, H. B. Harrison, G. K. Reeves. Titanium silicides formed by rapid thermal vacuum processing // J. Appl. Phys. 63(3), 1988. Р. 2171-2173.